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产品概述

 

上海陆芯MOS产品采用先进的屏蔽栅沟槽(Shield Gate Trench)MOSFET技术,同时降低了器件比导通电阻Ronsp和栅极电荷Qg,得到更小的品质因数FOM(Rdson*Qg)。采用这一先进技术有效提高了器件的开关速度,降低了开关损耗,配合以先进的终端设计和封装技术,使器件具有更优异的性能和更强的可靠性。

 

特点和优势:

1.      极低的Rdson

2.      极低的Qg和Qgd

3.      更快的开关速度

4.      更低的开关损耗

5.      UIS耐量100%出厂测试

 

产品型号

Part Number
VDS (V)
ID(A) @25℃
Rdson (typ) (mΩ) @10V
Rdson (max) (mΩ) @10V
VGS(th) (V)
Package
YSP040N010T1A
100
120
3.4
4.2
3.0
TO-220
YSK038N010T1A
100
120
3.2
4.0
3.0
TO-263
YSF040N010T1A
100
120
3.4
4.2
3.0
TO-220F
YSP042N011T1A
100
120
3.6
4.4
3.0
TO-220
YSK040N011T1A
100
120
3.4
4.2
3.0
TO-263
YSF042N011T1A
100
120
3.6
4.4
3.0
TO-220F

联系我们

+86(21)50813323

sales@lu-semi.com

上海市浦东新区达尔文路88号半岛科技园15幢301

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